Biyolojik Hafıza
Moskova’daki araştırmacılar, insan beyninde bir sinaps gibi çalışan bir bina yaparak, memristor adlı bir cihaza ilerlemişlerdir. “Memristor”, 1971’de bir terim olan ve 2008’de başlayan bir biçimde gerçekleşen bir terim olan hem bellek hem de direnç anlamına gelir. Yeni “ikinci nesil” memristor, sonunda, insan sinapslarının nasıl çalıştığını taklit eden, yeterince erişilmeyen verileri unutabilir ve beynin plastisite olarak bilinen kalitesidir.
Memristorların çalışması ve tasarımı genellikle, hem beyinleri taklit eden dijital bilgisayarlar için hem de insan sinir hücrelerinin hipotetik makinelerini taklit eden bir terim olan nörobilgisayarların konusu ile bağlantılıdır. Star Trek’ten elde edilen veriler: Yeni Nesil’in Isaac Asimov tarafından yarattığı bir fikir olan pozitronik beyni, kurgusal bir tür nörobilgisayardır. Gelişmiş memristorlara sahip olan fikir, kullanılan bir insan beyni hücresinin sağlıklı bir beyinde tamamen işlevsel kalmasına rağmen, kullanılmamış veya kullanılmamış beyin hücresinin bozulmasına neden olmaktadır.
Rus araştırmacılar, diğer ikinci kuşak memurların nasıl çalıştığı konusundaki temel bir hatayı düzeltmeye çalıştılar: Normal mekanik aşınma ve yıpranma nedeniyle, memurlar zamanla bozuluyordu. Bir anlamda bu, insanlık çağındaki unutkanlığı taklit eder. Ancak bu unutkanlık tüm insan beynine nüfuz etmiyor ve araştırmacılar başlangıçta daha sağlam bir cihaz olmadan beyin plastikliğini modelleme fikrini çalışamadılar.
Bunu ele almak için araştırma ekibi, akımın mikroskobik bir “köprü” üzerinden geçen akımını kullanan mevcut bir memristor şeklini attı ve yerini hafniyum oksit adı verilen bir alaşımdan yapılmış mıknatıslanmış bir teknolojiyle değiştirdi. Bu toz halindeki bileşik, 2007 yılında başlamak üzere, Intel tarafından en çok kullanılan ve bir kapı oluştururken silikon dioksitin yerine geçen mikro yalıtkan olarak kullanılan bir yalıtkandır.
Hafniyum, kaynak torçları veya nükleer çubuklar yapmak için kullanılan ısıya dayanıklı metalik bir elementtir. Saf veya alaşım şeklinde bir iletkendir, ancak hafniyum oksit yapmak için oksijenle birleştirildiğinde, bunun yerine ısıya dayanıklı bir yalıtkandır. Ancak yalıtkan biçiminde, Moskova’daki araştırmacıların esirlerini oluştururken kullandıkları bir tür manyetik yüke sahip olması da dahil olmak üzere, hala metalik özelliklere sahiptir.
